ARL-TR-4164 磷酸和熔融氢氧化钾分子束外延生长氮化镓中位错蚀坑的观察与研究

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时间:2022-11-26

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上传者:战必胜
Observation and Study of Dislocation Etch Pits in Molecular
Beam Epitaxy Grown Gallium Nitride With the Use of
Phosphoric Acid and Molten Potassium Hydroxide
by Fred Semendy and Unchul Lee
ARL-TR-4164 June 2007
Approved for public release; distribution unlimited.
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