ARL-MR-0770 模拟氮化铝( AlN )衬底上生长的氮化铝镓( Al )薄膜的生长

ID:20167

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页数:26页

时间:2022-11-26

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上传者:战必胜
Modeling the Growth of Aluminum Gallium Nitride
((Al)GaN) Films Grown on Aluminum Nitride (AlN)
Substrates
by Dr. Kenneth A. Jones, Dr. Anthony J. Ciani, Dr. Iskander Batyrev,
and Dr. Peter W. Chung
ARL-MR-0770 March 2011
Approved for public release; distribution unlimited.
资源描述:

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